制备了一种新型的具有高调制带宽的1053nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响, 优化了InGaAs/GaAs量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明, SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35nm/℃, 其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100mA注入电流下SLD的-3dB调制带宽达到1.7GHz, 尾纤输出功率2.5mW, 相应的光谱半宽为24nm, 光谱波纹为0.15dB.

对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数，得到了电流限制较理想的DCPBH结构。

通过分析ZrO2薄膜电子束沉积时氧压、衬底转动及温度对薄膜相结构、晶粒尺寸和粗糙度的影响, 对ZrO2薄膜微结构特性与抗激光诱导损伤性能的关系进行了研究.ZrO2薄膜衬底无转动沉积时晶体以四方相为主, 而转动沉积时形成具有较高激光损伤阈值的单斜相结构.薄膜晶粒尺寸和粗糙度均随氧压的升高而减小, 四方相受氧压影响变化明显高于单斜相, 氧压的继续升高使多晶形态向非晶形态逐渐转变.多晶结构的损伤阈值随着晶粒尺寸的减小而增高, 薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高略有增加, 且多晶结构的损伤阈值明显要高于非晶结构, ZrO2薄膜损伤阈值(E)与粗糙度(σ)基本符合关系: Eσα=β(α=1.41, β=2.25).

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱, 通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱, 将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率, 在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm, 发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段, 改善了应变量子阱质量, 该结果应用于1 054 nm激光器的制备, 取得了较好的结果。