MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2018, 39 (9): 1285, 网络出版: 2018-09-08

MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

Effect of Low Growth Pressure of HT-AlN Buffer on GaN Epilayer Grown on Si(111)

韩军 ^1,*赵佳豪 ¹邢艳辉 ¹史峰峰 ¹杨涛涛 ¹赵杰 ¹王凯 ¹李焘 ¹邓旭光 ²张宝顺 ²

作者单位

¹ 北京工业大学微电子学院光电技术教育部重点实验室, 北京 100124

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏苏州 215123

高温AlN缓冲层氮化镓金属有机化学气相沉积 X射线衍射拉曼光谱 HT-AlN buffer GaN MOCVD X-ray diffraction Raman spectroscopy

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