Al掺杂浓度对CrSi<sub>2</sub>电子结构及光学性质的影响

闫万珺; 周士芸; 谢泉; 郭本华; 张春红; 张忠政

doi:doi:10.3788/aos201232.0516003

光学学报, 2012, 32 (5): 0516003, 网络出版: 2012-04-13

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Effect of Al Doping Concentration on Electronic and Optical Properties of CrSi₂

闫万珺 ^1,2,*周士芸 ¹谢泉 ²郭本华 ¹张春红 ¹张忠政 ¹

作者单位

¹ 安顺学院物理与电子科学系, 贵州安顺 561000

² 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所, 贵州贵阳 550025

引用该论文

闫万珺, 周士芸, 谢泉, 郭本华, 张春红, 张忠政. Al掺杂浓度对CrSi₂电子结构及光学性质的影响[J]. 光学学报, 2012, 32(5): 0516003.

Yan Wanjun, Zhou Shiyun, Xie Quan, Guo Benhua, Zhang Chunhong, Zhang Zhongzheng. Effect of Al Doping Concentration on Electronic and Optical Properties of CrSi₂[J]. Acta Optica Sinica, 2012, 32(5): 0516003.

引用列表

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