光学学报, 2012, 32 (5): 0516003, 网络出版: 2012-04-13
Al掺杂浓度对CrSi2电子结构及光学性质的影响 
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Effect of Al Doping Concentration on Electronic and Optical Properties of CrSi2
基本信息
| DOI: | 10.3788/aos201232.0516003 |
| 中图分类号: | O474;O481.1;O472+.3 |
| 栏目: | 材料 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金（60766002）、科技部国际合作重点项目（2008DFA52210）、贵州省科技厅自然科学基金（黔科合J字[2010]2001)、贵州省科技攻关项目(黔科合GY字（2011）3015)和贵州省科技创新人才团队建设专项资金(黔科合人才团队（2011）4002)资助课题。 |
| 收稿日期: | 2011-10-12 |
| 修改稿日期: | 2011-12-05 |
| 网络出版日期: | 2012-04-13 |
| 通讯作者: | 闫万珺 (yanwanjun7817@163.com) |
| 备注: | -- |
闫万珺, 周士芸, 谢泉, 郭本华, 张春红, 张忠政. Al掺杂浓度对CrSi2电子结构及光学性质的影响[J]. 光学学报, 2012, 32(5): 0516003. Yan Wanjun, Zhou Shiyun, Xie Quan, Guo Benhua, Zhang Chunhong, Zhang Zhongzheng. Effect of Al Doping Concentration on Electronic and Optical Properties of CrSi2[J]. Acta Optica Sinica, 2012, 32(5): 0516003.
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