光电子技术, 2013, 33 (3): 194, 网络出版: 2014-01-16   

近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺

Material and Fabrication Process of Near Infrared Response III-V Compound Semiconductor Photocathode
作者单位
中国电子科技集团公司 第五十五研究所, 南京 210016
引用该论文

王旺平, 马建一. 近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺[J]. 光电子技术, 2013, 33(3): 194.

Wang Wangping, Ma Jianyi. Material and Fabrication Process of Near Infrared Response III-V Compound Semiconductor Photocathode[J]. Optoelectronic Technology, 2013, 33(3): 194.

引用列表
1、 基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究光学学报, 2021, 41 (5): 0516004
2、 GaSb和GaInSb晶体制备工艺研究进展激光与光电子学进展, 2017, 54 (7): 70007
3、 InP/InGaAs 转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算红外与激光工程, 2015, 44 (10): 3010

王旺平, 马建一. 近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺[J]. 光电子技术, 2013, 33(3): 194. Wang Wangping, Ma Jianyi. Material and Fabrication Process of Near Infrared Response III-V Compound Semiconductor Photocathode[J]. Optoelectronic Technology, 2013, 33(3): 194.

本文已被 3 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!