光电子技术, 2013, 33 (3): 194, 网络出版: 2014-01-16
近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺
Material and Fabrication Process of Near Infrared Response III-V Compound Semiconductor Photocathode
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | TN304.2+3 |
栏目: | 研究与试制 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2013-01-09 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2014-01-16 |
通讯作者: | 王旺平 (Wangwang183@gmail.com) |
备注: | -- |
王旺平, 马建一. 近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺[J]. 光电子技术, 2013, 33(3): 194. Wang Wangping, Ma Jianyi. Material and Fabrication Process of Near Infrared Response III-V Compound Semiconductor Photocathode[J]. Optoelectronic Technology, 2013, 33(3): 194.