砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用

袁庆贺; 井红旗; 张秋月; 仲莉; 刘素平; 马骁宇

doi:doi:10.3788/LOP56.040003

激光与光电子学进展, 2019, 56 (4): 040003, 网络出版: 2019-07-31

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Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers

袁庆贺 ^1,2井红旗 ¹张秋月 ¹仲莉 ¹刘素平 ¹马骁宇 ^1,*

作者单位

¹ 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083

² 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049

引用该论文

袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(4): 040003.

Qinghe Yuan, Hongqi Jing, Qiuyue Zhang, Li Zhong, Suping Liu, Xiaoyu Ma. Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(4): 040003.

引用列表

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