激光与光电子学进展, 2019, 56 (4): 040003, 网络出版: 2019-07-31
砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用 下载: 2785次
Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers
基本信息
DOI: | 10.3788/LOP56.040003 |
中图分类号: | TN24 |
栏目: | 综述 |
项目基金: | 大功率半导体激光器技术(41414010302)、 |
收稿日期: | 2018-07-30 |
修改稿日期: | 2018-08-26 |
网络出版日期: | 2019-07-31 |
通讯作者: | 马骁宇 (maxy@semi.ac.cn) |
备注: | -- |
袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(4): 040003. Qinghe Yuan, Hongqi Jing, Qiuyue Zhang, Li Zhong, Suping Liu, Xiaoyu Ma. Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(4): 040003.