激光与光电子学进展, 2019, 56 (4): 040003, 网络出版: 2019-07-31   

砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用 下载: 2785次

Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers
作者单位
1 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
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袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(4): 040003. Qinghe Yuan, Hongqi Jing, Qiuyue Zhang, Li Zhong, Suping Liu, Xiaoyu Ma. Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(4): 040003.

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