光子学报, 2005, 34 (9): 1363, 网络出版: 2006-06-12
GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究
The Study of InAsxSb1-x on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O484.1 |
栏目: | 光电子学 |
项目基金: | 国家863计划(NO:2002AA313080)、国家自然科学基金(NO:60378020)资助项目 |
收稿日期: | 2004-07-16 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2006-06-12 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
李晓婷, 王一丁, 汪韬, 殷景致, 王警卫, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究[J]. 光子学报, 2005, 34(9): 1363. 李晓婷, 王一丁, 汪韬, 殷景致, 王警卫, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. The Study of InAsxSb1-x on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2005, 34(9): 1363.