GaSb衬底上外延InAs<sub>x</sub>Sb<sub>1-x</sub>材料的LP-MOCVD研究

李晓婷; 王一丁; 汪韬; 殷景致; 王警卫; 赛小锋; 高鸿楷; 张志勇

光子学报, 2005, 34 (9): 1363, 网络出版: 2006-06-12

GaSb衬底上外延InAs_xSb_1-x材料的LP-MOCVD研究

The Study of InAs_xSb_1-x on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD

李晓婷 ^1,2王一丁 ³汪韬 ¹殷景致 ³王警卫 ¹赛小锋 ¹高鸿楷 ¹张志勇 ⁴

作者单位

¹ 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068

² 长安大学理学院,西安,710061

³ 吉林大学电子工程学院,长春,130023

⁴ 西北大学电子工程系,西安,710069

补充材料

李晓婷, 王一丁, 汪韬, 殷景致, 王警卫, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. GaSb衬底上外延InAs_xSb_1-x材料的LP-MOCVD研究[J]. 光子学报, 2005, 34(9): 1363. 李晓婷, 王一丁, 汪韬, 殷景致, 王警卫, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. The Study of InAs_xSb_1-x on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2005, 34(9): 1363.