单一蒸发源膜厚分布的均匀性

付秀华; 赵迪; 卢成; 马国俊; 鲍刚华

doi:doi:10.3788/AOS201939.1231001

光学学报, 2019, 39 (12): 1231001, 网络出版: 2019-12-06

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Uniformity of Film Thickness Distribution for Single Evaporation Source

付秀华 ¹赵迪 ^1,*卢成 ²马国俊 ¹鲍刚华 ²

作者单位

¹ 长春理工大学光电工程学院, 吉林长春 130022

² 成都国泰真空设备有限公司, 四川成都 611130

图 & 表

图 1. 非余弦膜厚计算的几何示意图

Fig. 1. Geometric diagram of calculation of non-cosine film thickness

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图 2. 瞬时膜厚分布的极坐标图示

Fig. 2. Polar coordinate diagram of instantaneous film thickness distribution

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图 3. 沉积面上不同位置的瞬时膜厚分布

Fig. 3. Instantaneous film thickness distribution at different locations on deposition surface

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图 4. 蒸发单一膜料时修正板的计算宽度

Fig. 4. Computational width of corrected mask when evaporating single film

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图 5. 两个修正板的计算宽度

Fig. 5. Computational widths of two corrected masks

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图 6. 两种薄膜的反射率曲线。(a) H4单层膜;(b) MgF₂单层膜

Fig. 6. Reflectivity of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF₂ monolayer film

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图 7. 两种薄膜的膜厚分布。(a) H4单层膜;(b) MgF₂单层膜

Fig. 7. Thickness distributions of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF₂ monolayer film

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表 1H4单层膜与MgF₂单层膜的蒸镀工艺参数

Table1. Evaporation process parameters of H4 monolayer film and MgF₂ monolayer film

Material	Degree of vacuum /Pa	Substrate temperature /℃	Evaporation rate /(nm·s^-1)
H4	10^-2	280	0.3
MgF₂		280	0.6

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付秀华, 赵迪, 卢成, 马国俊, 鲍刚华. 单一蒸发源膜厚分布的均匀性[J]. 光学学报, 2019, 39(12): 1231001. Xiuhua Fu, Di Zhao, Cheng Lu, Guojun Ma, Ganghua Bao. Uniformity of Film Thickness Distribution for Single Evaporation Source[J]. Acta Optica Sinica, 2019, 39(12): 1231001.

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图 1. 非余弦膜厚计算的几何示意图

Fig. 1. Geometric diagram of calculation of non-cosine film thickness

图 2. 瞬时膜厚分布的极坐标图示

Fig. 2. Polar coordinate diagram of instantaneous film thickness distribution

图 3. 沉积面上不同位置的瞬时膜厚分布

Fig. 3. Instantaneous film thickness distribution at different locations on deposition surface

图 4. 蒸发单一膜料时修正板的计算宽度

Fig. 4. Computational width of corrected mask when evaporating single film

图 5. 两个修正板的计算宽度

Fig. 5. Computational widths of two corrected masks

图 6. 两种薄膜的反射率曲线。(a) H4单层膜;(b) MgF₂单层膜

Fig. 6. Reflectivity of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF₂ monolayer film

图 7. 两种薄膜的膜厚分布。(a) H4单层膜;(b) MgF₂单层膜

Fig. 7. Thickness distributions of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF₂ monolayer film

表 1H4单层膜与MgF₂单层膜的蒸镀工艺参数

Table1. Evaporation process parameters of H4 monolayer film and MgF₂ monolayer film

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图 3. 沉积面上不同位置的瞬时膜厚分布

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图 4. 蒸发单一膜料时修正板的计算宽度

Fig. 4. Computational width of corrected mask when evaporating single film

图 5. 两个修正板的计算宽度

Fig. 5. Computational widths of two corrected masks

图 6. 两种薄膜的反射率曲线。(a) H4单层膜;(b) MgF2单层膜

Fig. 6. Reflectivity of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF2 monolayer film

图 7. 两种薄膜的膜厚分布。(a) H4单层膜;(b) MgF2单层膜

Fig. 7. Thickness distributions of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF2 monolayer film

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Fig. 7. Thickness distributions of two films. (a) H4 monolayer film; (b) MgF₂ monolayer film

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