有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs | 红外与毫米波学报 -- 中国光学期刊网

红外与毫米波学报, 2013, 32 (3): 193, 网络出版: 2013-06-25

有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As HEMTs

High performance InP-based In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As HEMTs with extrinsic transconductance of 1052 mS/mm

钟英辉 ¹王显泰 ²苏永波 ²曹玉雄 ²张玉明 ¹刘新宇 ²金智 ²

作者单位

¹ 西安电子科技大学微电子学院 ,陕西西安710071

² 中国科学院微电子研究所,北京100029

高电子迁移率器件栅长栅槽 HEMT gate-length gate recess InP InP InAlAs/InGaAs InAlAs/InGaAs

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