激光与光电子学进展, 2018, 55 (5): 051603, 网络出版: 2018-09-11   

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响 下载: 1529次

Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Luminescence Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
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智民, 方铉, 牛守柱, 房丹, 唐吉龙, 王登魁, 王新伟, 王晓华, 魏志鹏. 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(5): 051603. Min Zhi, Xuan Fang, Shouzhu Niu, Dan Fang, Jilong Tang, Dengkui Wang, Xinwei Wang, Xiaohua Wang, Zhipeng Wei. Effect of Rapid Thermal Annealing on Structural and Luminescence Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Wells[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(5): 051603.

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