利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2011, 32 (4): 363, 网络出版: 2011-04-28

利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化

Optimization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD

何涛 ^*陈耀李辉戴隆贵王小丽徐培强王文新陈弘

作者单位

中国科学院物理研究所凝聚态国家重点实验室, 北京 100190

引用该论文

何涛, 陈耀, 李辉, 戴隆贵, 王小丽, 徐培强, 王文新, 陈弘. 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化[J]. 发光学报, 2011, 32(4): 363.

HE Tao, CHEN Yao, LI Hui, DAI Long-gui, WANG Xiao-li, XU Pei-qiang, WANG Wen-xin, CHEN Hong. Optimization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(4): 363.

引用列表

1、高阻GaN的MOCVD外延生长发光学报, 2013, 34 (3): 351

2、具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED发光学报, 2013, 34 (1): 66

3、量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响发光学报, 2012, 33 (12): 1368

4、 GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响发光学报, 2012, 33 (10): 1089

5、六方系InAlGaN晶体的长波长光学声子研究发光学报, 2012, 33 (8): 808

6、直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜发光学报, 2012, 33 (2): 227

7、预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响发光学报, 2012, 33 (1): 82

何涛, 陈耀, 李辉, 戴隆贵, 王小丽, 徐培强, 王文新, 陈弘. 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化[J]. 发光学报, 2011, 32(4): 363. HE Tao, CHEN Yao, LI Hui, DAI Long-gui, WANG Xiao-li, XU Pei-qiang, WANG Wen-xin, CHEN Hong. Optimization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(4): 363.

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