天津大学电气自动化与信息工程学院，天津 300072
在岗检测是现代安防领域中视频分析的一个重要研究方向，应用领域非常广泛。本文设计并实现了一种嵌入式人员在岗检测系统，为了提高此嵌入式系统的运行速度，提出了改进的人脸特征点检测方法；并且为了提高系统的检测准确率，建立了一个近红外人脸样本库。该系统通过近红外摄像头采集实时图像，然后进行人脸特征点检测，获取被检测人的面部信息。根据违规行为判断准则，判断当前是否出现违规动作并且发出警报。实验结果表明：在规定条件下，系统的人脸特征点检测准确率达到了 95%，针对两种异常情况的检测准确率也都超过了 94%，具有良好的实时性能。
近红外 嵌入式 在岗检测 人脸特征点检测 near-infrared embedded on-the-job detection face landmarks detection
1 西华大学 电气信息学院, 成都 610039
2 重庆市电力公司南岸分公司, 重庆 401336
基于光伏电池的工程模型, 在Matlab/Simulink中搭建仿真模型, 进行输出特性的仿真, 得到该光伏电池的I-V、P-V特性;光伏电池温度可根据当地的温度和光照数据得到, 为了得到光伏电池在某地某一天输出最大功率的实时变化曲线, 对原来的仿真模型进行了输入模块的修改, 并加上光伏电池温度、环境温度、光照之间的关系模块, 对修改之后的模型只需输入光伏电池的工程参数、一天的实时光照以及光伏电池在24h所对应的最大功率点电压,然后运行仿真模型, 即可得到一天之内光伏电池输出的最大功率实时曲线。该仿真结果具有实用性、实时性和可观性。
光伏电池 建模 仿真 最大功率输出曲线 photovotaic cell engineering model simulation output curve of the maximum power
中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190
系统研究了纳米量级的多孔SiNx 插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明: SiNx 插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外, GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征。实验发现:SiNx 插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响; 但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。
金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 高分辨X射线衍射 metalorganic chemical vapor deposition GaN GaN SiNx SiNx high resolution X-ray diffractions
1 北京凝聚态物理国家实验室， 中国科学院物理研究所 清洁能源实验室， 北京100190
2 天津中环新光科技有限公司， 天津300385
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜，其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec，这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响，还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力，发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。
SiC衬底 X射线衍射 GaN GaN AlN AlN SiC MOCVD MOCVD XRD
中国科学院物理研究所 凝聚态国家重点实验室, 北京 100190
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量, 本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构, 并得到了各向异性更小, 晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明, 两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移, 有利于劣势方向(m轴)的原子迁移, 从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异, 并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供“生长模板”, 以得到各向异性更小、晶体质量更好的a面GaN材料。
各向异性 X射线衍射 缓冲层 GaN GaN anisotropy XRD AlN AlN buffer layer
