发光学报, 2011, 32 (4): 363, 网络出版: 2011-04-28
利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化
Optimization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD
知识挖掘
相关论文
本文相似领域研究进展，
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况：
本文研究领域论文发表情况（统计图）：
何涛, 陈耀, 李辉, 戴隆贵, 王小丽, 徐培强, 王文新, 陈弘. 利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化[J]. 发光学报, 2011, 32(4): 363. HE Tao, CHEN Yao, LI Hui, DAI Long-gui, WANG Xiao-li, XU Pei-qiang, WANG Wen-xin, CHEN Hong. Optimization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(4): 363.
PDF全文
