太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (5): 874, 网络出版: 2018-01-25
偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
Effect of displacement radiation damage on bipolar junction transistors under various bias conditions
基本信息
| DOI: | 10.11805/tkyda201705.0874 |
| 中图分类号: | TN957.51 |
| 栏目: | 微电子、微系统与物理电子学 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金资助项目(61404038,11205038)；黑龙省江博士后科学基金资助项目(LBH-Z14073)；中央基本科研业务费专项资金资助项目(HIT. NSRIF. 2015001) |
| 收稿日期: | 2015-08-10 |
| 修改稿日期: | 2016-05-10 |
| 网络出版日期: | 2018-01-25 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
刘莉, 董磊, 刘超铭, 李兴冀, 杨剑群, 马国亮. 偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(5): 874. LIU Li, DONG Lei, LIU Chaoming, LI Xingji, YANG Jianqun, MA Guoliang. Effect of displacement radiation damage on bipolar junction transistors under various bias conditions[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(5): 874.
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