太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (5): 874, 网络出版: 2018-01-25
偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
Effect of displacement radiation damage on bipolar junction transistors under various bias conditions
双极晶体管 重离子辐照 位移辐射 深能级缺陷 bipolar junction transistor heavy ions displacement radiation deep level defects
知识挖掘
相关论文
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
9篇
7篇
6篇
1篇
本文研究领域论文发表情况(统计图):
刘莉, 董磊, 刘超铭, 李兴冀, 杨剑群, 马国亮. 偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(5): 874. LIU Li, DONG Lei, LIU Chaoming, LI Xingji, YANG Jianqun, MA Guoliang. Effect of displacement radiation damage on bipolar junction transistors under various bias conditions[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(5): 874.