红外与毫米波学报, 2018, 37 (1): 15, 网络出版: 2018-03-14
fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究
High-frequency InAlN/GaN HFET with an fT of 350 GHz
铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅 InAlN/GaN HFET current gain cut-off frequency nonalloyed Ohmic contacts nano-gate
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