红外与毫米波学报, 2013, 32 (2): 136, 网络出版: 2013-04-18
MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管
MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure
基本信息
DOI: | 10.3724/sp.j.1010.2013.00136 |
中图分类号: | O475, O782 |
栏目: | |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2012-03-19 |
修改稿日期: | 2012-10-21 |
网络出版日期: | 2013-04-18 |
通讯作者: | 顾仁杰 (renren_1226@126.com) |
备注: | -- |
顾仁杰, 沈川, 王伟强, 付祥良, 郭余英, 陈路. MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2013, 32(2): 136. GU Ren-Jie, SHEN Chuan, WANG Wei-Qiang, FU Xiang-Liang, GUO Yu-Ying, CHEN Lu. MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2013, 32(2): 136.