红外与毫米波学报, 2013, 32 (2): 136, 网络出版: 2013-04-18   

MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure
作者单位
1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
基本信息
DOI: 10.3724/sp.j.1010.2013.00136
中图分类号: O475, O782
栏目:
项目基金: --
收稿日期: 2012-03-19
修改稿日期: 2012-10-21
网络出版日期: 2013-04-18
通讯作者: 顾仁杰 (renren_1226@126.com)
备注: --

顾仁杰, 沈川, 王伟强, 付祥良, 郭余英, 陈路. MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2013, 32(2): 136. GU Ren-Jie, SHEN Chuan, WANG Wei-Qiang, FU Xiang-Liang, GUO Yu-Ying, CHEN Lu. MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2013, 32(2): 136.

本文已被 6 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!