MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

顾仁杰; 沈川; 王伟强; 付祥良; 郭余英; 陈路

doi:doi:10.3724/sp.j.1010.2013.00136

红外与毫米波学报, 2013, 32 (2): 136, 网络出版: 2013-04-18

MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure

顾仁杰 ^1,2,*沈川 ^1,2王伟强 ¹付祥良 ¹郭余英 ¹陈路 ¹

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083

² 中国科学院研究生院, 北京 100049

补充材料

顾仁杰, 沈川, 王伟强, 付祥良, 郭余英, 陈路. MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2013, 32(2): 136. GU Ren-Jie, SHEN Chuan, WANG Wei-Qiang, FU Xiang-Liang, GUO Yu-Ying, CHEN Lu. MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2013, 32(2): 136.