设计、制作和测试了用于1.31和1.55 μm光波长的40 Gb/s微带线行波电极的电光调制器。假设聚合物材料的电光系数γ33=30 pm/V，设计的调制器性能参数分别是半波电压Vπ=4.92 V和调制带宽42 GHz。用有完全自主知识产权的二阶非线性光学聚合物材料BPAN-NT作为芯层材料制作了聚合物电光调制器。对调制器的各项特性参数进行了直流、低频和微波的测试，在1.31和1.55 μm波长上测得低频（237 Hz）Vπ分别为32.1和40.5 V，折算得芯层材料的电光系数γ33=3.856 pm/V。测得消光比为20 dB。在50 MHz~40 GHz频率范围内，测得电极系统实际的微波损耗系数α0=0.6 dB·cm-1·GHz-1/2，用此值理论计算得出调制带宽为42.70 GHz。在7.5~16.0 GHz 以及 32~40 GHz频率范围内用光谱仪测量器件的调制度M，并获得调制度的频率响应曲线。3 dB调制带宽为30 GHz。

设计制作和测试了用于光波长1.55 μm的40 GHz共面波导(CPW)行波电极的电光调制器。假设聚合物材料的电光系数γ33为30 pm/V，设计的调制器性能参数分别是半波电压Vπ=12.9 V和调制带宽46.46 GHz。用有完全自主知识产权的清华大学化学工程系研制的二阶非线性光学聚合物材料BPAN-NT作为聚合物电光调制器的芯层材料制作了调制器。对调制器的各项特性参数进行了直流、低频和微波的测试，在1.31和1.55 μm波长上测得直流Vπ分别为55.5和83.3 V，折算得芯层材料的电光系数γ33=4.65 pm/V。同时测得消光比为15 dB。在50 MHz～40 GHz，电极系统实际的微波损耗系数α0=0.42 dB/(cm·GHz1/2)，用此值理论计算的调制带宽为42.70 GHz。在4～17 GHz用光谱仪观察到微波调制光的现象，并测得电光调制器调制度。

研究了相位共轭镜用于改善MOPA激光系统光束质量的特性研究.利用单纵模环形激光器作为振荡级,对加装有相位共轭镜的MOPA系统的相位共轭反射率、阈值进行了测试,并获得了重复频率10 Hz、单脉冲能量大于200 mJ、近衍射极限的高光束质量激光输出.

采用有限元法和增量电感公式对一种新型电极结构的电光调制器进行了理论分析和设计.计算中对损耗系数进行了修正.计算结果表明这种结构可以灵活地实现相速匹配和有效降低电极损耗.是一种具有超宽带潜力的调制器.用带宽和驱动功率的比值作为衡量调制器特性优劣的标准.得到了这种电极结构的一些优化尺寸.并从中发现适当增大电极间隙有利于提高器件性能.利用优化结果.给出了一带宽为100 GHz.半波电压为6 V的调制器设计例子.

报道用射频加热化学汽相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。GeSi合金层中Ge的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波导的数值、孔径接近单模光纤值、脊高小于临界厚度值等，计算表明兼顾上述三项要求应取x＝1～3％；脊的高与宽受大断面及单模的制约。Si的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡，为此起始脊宽取5～6 μｍ为宜；腐蚀液、抛光液的选取要保证脊侧壁及波导端面的优良镜面。上述设计及工艺优化使光波导的实测性能显著提高，离散性降低。最佳传播损耗已降到0.3 dB/cm。

比较了四种马赫-陈德尔调制器的结构特性,表明Z切共面波导(CPW)是最好的一种结构。用阶跃倒相电极设计了新型电光光波导幅度调制器,研制了包装式带尾光纤的有5段例相电极的马赫-陈德尔调制器。在1.532 μm波长上,该器件调制带宽为14.8 GHz,半波电压为14 V,消光比为21.3 dB,光纤-器件-光纤插入损耗7.6 dB。

报道锗硅合金在λ＝1.3 μm的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果.这种光波导的传播损耗已达0.7 dB/cm.脊形的高4～8 μm，宽8～12 μm，均和单模光纤芯径相当.此外，其数值孔径在光波导的输入、输出端均能和单模光纤匹配，它已满足硅光集成对光波导的要求.文中最后报道了用这种锗硅合金光波导试制Y分支器，并观察到二支分路输出的单模光斑.