报道用射频加热化学汽相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。GeSi合金层中Ge的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波导的数值、孔径接近单模光纤值、脊高小于临界厚度值等，计算表明兼顾上述三项要求应取x＝1～3％；脊的高与宽受大断面及单模的制约。Si的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡，为此起始脊宽取5～6 μｍ为宜；腐蚀液、抛光液的选取要保证脊侧壁及波导端面的优良镜面。上述设计及工艺优化使光波导的实测性能显著提高，离散性降低。最佳传播损耗已降到0.3 dB/cm。

进一步研究二个问题：(1)理论模拟的方法由快速傅里叶束传播法(FFT-BPM)改为有限差分束传播法(FD-BPM)，并比较了两者的优缺点。(2)模拟设计了对象提高为由GeSi合金单模脊形光波导组成的Ｙ级联1×4光分束器。结果表明，有限差分束传播法比快速傅里叶束传播法及显形有限差分束传播法(EFD-BPM)，除了数学比较容易外，计算速度也快一些。尤其是对传播步长Δz的敏感性，有限差分束传播法远没有快速傅里叶束传播法那样严重，便利了束传播法方法的采用。正如束传播法成功地应用于GeSi合金光波导及Y分支器的理论设计，现在用了1×4Y级联分束器同样得到预想的结果。光束在分束器中传播逐步分成二束再分为四束。符合设计要求。

报道用束传播法(Propagating beam method)模拟设计、指导硅大断面单模脊形光波导的制备工艺。应用傅里叶交换法计算了硅光波导中导模的传播常数。对实际研制成功的SIMOX及Si/GexSi1-x/Si单模脊形光波导，比较了其性能差异并给予理论解释。

报道锗硅合金在λ＝1.3 μm的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果.这种光波导的传播损耗已达0.7 dB/cm.脊形的高4～8 μm，宽8～12 μm，均和单模光纤芯径相当.此外，其数值孔径在光波导的输入、输出端均能和单模光纤匹配，它已满足硅光集成对光波导的要求.文中最后报道了用这种锗硅合金光波导试制Y分支器，并观察到二支分路输出的单模光斑.