1 中国电子科技集团公司第四十一研究所, 山东 青岛 266555
2 北京交通大学光波技术研究所, 北京 100044
基于改进的化学气相沉积(MCVD)法结合溶液掺杂技术以及侧向研磨技术，实验制作出了一种D型双包层高浓度掺铒光敏光纤。为了同时实现光纤中的大模场直径和铒离子的高浓度掺杂，其纤芯采用了双层掺铒区结构，并对该样品光纤的基本参数及光敏特性进行了测试，其截止波长为1234.03 nm，模场直径约为12 μm，在1530 nm处的吸收系数为49.658 dB/m，上面刻写的均匀布拉格光纤光栅的透射深度为10 dB，对应的反射率为90%。测试结果表明，自制的D型双包层光纤具有很高的铒离子掺杂浓度和良好的光敏特性，能够为制作全光纤型高功率单模包层抽运光纤激光器提供一个很好的选择。
掺铒光纤 D型光纤 光敏特性 改进的化学汽相沉积法 光学学报
2012, 32(s1): s106005
1 北京交通大学 光波技术研究所, 北京 100044
2 北京交通大学 全光网络与现代通信网教育部重点实验室, 北京 100044
利用一种新型的环形石墨炉加热的改进的化学汽相沉积(MCVD)车床制作出了高吸收、低背景损耗单包层高掺Yb3+石英光纤, 并对其几何参数和吸收谱进行了测量、分析和讨论, 得出了高掺Yb3+石英光纤的制作要点在于高质量疏松层的制作的结论, 并分析了疏松层中掺P有助于提高掺Yb3+量的机理。制作出的高掺Yb3+单包层石英光纤样品在976 nm波长下的吸收可达594 dB/m, 而背景损耗只有0.1 dB/m。
掺Yb3+光纤 溶液掺杂法 化学汽相沉积法 Yb3+-Doped Fiber (YDF) solution doping technique MCVD process
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京 100083
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性, 介绍了淀积反射率小于10-4的1310 nm半导体激光器端面增透膜技术, 并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。
电子回旋共振等离子体化学汽相沉积法 半导体激光器 增透膜 反射率
1 天津大学电子工程系, 天津 300072
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
报道用射频加热化学汽相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。GeSi合金层中Ge的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波导的数值、孔径接近单模光纤值、脊高小于临界厚度值等，计算表明兼顾上述三项要求应取x＝1～3％；脊的高与宽受大断面及单模的制约。Si的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡，为此起始脊宽取5～6 μｍ为宜；腐蚀液、抛光液的选取要保证脊侧壁及波导端面的优良镜面。上述设计及工艺优化使光波导的实测性能显著提高，离散性降低。最佳传播损耗已降到0.3 dB/cm。
光波导 化学汽相沉积法
