本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究, 为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF6+O2气体体系, 通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响, 并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明: 功率越大, 刻蚀速率越大, 与源极射频电力相比, 偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著; 压强增大, 刻蚀速率增大, 但压强增大到一定程度后, 刻蚀速率基本不变, 刻蚀均匀性随着压强增大而变差; 在保证SF6/O2总流量保持不变下, O2的比例增大, 刻蚀速率先增大后减小, 刻蚀均匀性逐步变好; He的添加可以改善刻蚀均匀性, 但He的添加量过多时, 会造成刻蚀速率降低。
氮化硅 增强电容耦合等离子刻蚀 刻蚀速率 silicon nitride enhanced capacitive coupled plasma etching etch rate
针对栅极绝缘层和栅极引线接触处形成过孔倒角造成的一种垂直线不良进行分析和改善。研究气相沉积、干法刻蚀和磁控溅射对过孔倒角的影响, 通过扫描电子显微镜对过孔形貌进行表征, 并用成盒检测设备检测不良发生情况。实验结果表明: 通过过孔刻蚀功率、气压、气体流量的变更可以消除倒角现象, 垂直线不良由1.4%降为0.7%。
垂直线不良 倒角 过孔 vertical line mura undercut via hole
