采用气相刻蚀制绒法研究金刚石线锯切割多晶硅片制绒.加热体积比1: 3、总体积400 mL的HF-HNO3酸混合溶液到90 ℃, 使酸混合溶液受热产生气相, 利用气相对金刚石线锯切割多晶硅片表面进行制绒.结果表明, 制绒15 min之后, 硅片表面的切割纹被完全去除;小腐蚀坑密布硅片表面, 尺寸小于1 μ m, 而传统湿法酸制绒所形成的腐蚀坑尺寸大于10 μ m.气相刻蚀后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度比传统酸混液制绒后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度高3倍多.气相制绒效果明显, 并仅有12.11%的低反射率.

采用气相制绒方法对金刚石切割多晶硅片进行表面制绒.2 g硅加到HF-HNO3-H2O (400 mL, 体积比为6: 3: 1) 的酸混合溶液中在室温下反应产生气相, 利用气相对金刚石切割多晶硅片表面进行制绒研究.制绒4 min时, 硅片表面的切割纹被完全去除、大坑套小坑的蜂窝状蚀坑密布硅片表面, 减反效果显著, 反射率低至19.51%.气相制绒后的金刚石切割多晶硅片表面的微观粗糙度比传统酸混合溶液制绒后的高约20%.

为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题, 对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明, 金刚石线切割多晶硅片表面存在约33％的光滑条带区域, 其余为与砂浆切割硅片表面相近的粗糙崩坑区域；这些光滑区域使得金刚石切割多晶硅片表面光反射率比砂浆切割多晶硅片高3%~4％；而且光滑区域在富HNO3和富HF的HF-HNO3-H2O混合酸溶液中均较难于腐蚀, 使其刻蚀制绒后反射率比砂浆切割多晶硅片低1%~2％, 制绒后的金刚石切割多晶硅片反射率比制绒后的砂浆切割多晶硅片高4%~6%, 不能满足太阳电池生产要求.富HNO3和富HF两种酸刻蚀体系, 均不能解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题.