为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题, 对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明, 金刚石线切割多晶硅片表面存在约33％的光滑条带区域, 其余为与砂浆切割硅片表面相近的粗糙崩坑区域；这些光滑区域使得金刚石切割多晶硅片表面光反射率比砂浆切割多晶硅片高3%~4％；而且光滑区域在富HNO3和富HF的HF-HNO3-H2O混合酸溶液中均较难于腐蚀, 使其刻蚀制绒后反射率比砂浆切割多晶硅片低1%~2％, 制绒后的金刚石切割多晶硅片反射率比制绒后的砂浆切割多晶硅片高4%~6%, 不能满足太阳电池生产要求.富HNO3和富HF两种酸刻蚀体系, 均不能解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题.
多晶硅 金刚石线锯 酸刻蚀 制绒 反射率 Multicrystalline silicon wafer Diamond wire saw Acidic etching Texturization Reflectivity
1 厦门大学物理与机电工程学院
2 厦门大学能源研究院, 福建 厦门 361005
3 厦门大学福建省半导体照明工程技术研究中心, 福建 厦门 361005
采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态，并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明：经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的“蚯蚓状”的腐蚀坑，且反射率较低。在400~1000nm波长范围内，反射率可达22.75%；生长了SiNx薄膜后，反射率减小至8.33%，比原始硅片的反射率低20.96%。
低成本多晶硅 磷吸杂 织构 酸腐蚀 lowcost polycrystalline silicon phosphorus gettering texturing acidic etching
1 新余学院 太阳能科学与工程系, 江西 新余 338004
2 南昌工程学院 机械与动力工程系,南昌 330099
采用各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面,腐蚀液为HF和HNO3的混合溶液,缓和剂为NaH2PO4.2H2O溶液.利用SEM、AFM和紫外分光光度计对硅片绒面进行检测和分析，初步探讨了酸腐蚀机理.结果表明：采用NaH2PO4.2H2O溶液作为缓和剂，腐蚀后的硅片表面具有均匀的腐蚀坑,表面陷光效果较好，通过优化各种参量,反应速度可以控制在2 μm/min左右,适合工业生产的要求.在富HF时，硅片表面易形成尖锐边缘的腐蚀坑,出现或多或少的小孔，反射率最低可达16.5%～17.5%；在富HNO3时，硅片表面易形成腐蚀坑较浅、尺寸偏大的气泡状绒面或光面，反射率较高.
多晶硅 酸腐蚀 绒面 反射率 形貌 Multicrystalline silicon Acidic etching Texturing reflectivity Morphology
