为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题, 对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明, 金刚石线切割多晶硅片表面存在约33％的光滑条带区域, 其余为与砂浆切割硅片表面相近的粗糙崩坑区域；这些光滑区域使得金刚石切割多晶硅片表面光反射率比砂浆切割多晶硅片高3%~4％；而且光滑区域在富HNO3和富HF的HF-HNO3-H2O混合酸溶液中均较难于腐蚀, 使其刻蚀制绒后反射率比砂浆切割多晶硅片低1%~2％, 制绒后的金刚石切割多晶硅片反射率比制绒后的砂浆切割多晶硅片高4%~6%, 不能满足太阳电池生产要求.富HNO3和富HF两种酸刻蚀体系, 均不能解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题.
多晶硅 金刚石线锯 酸刻蚀 制绒 反射率 Multicrystalline silicon wafer Diamond wire saw Acidic etching Texturization Reflectivity
中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川 绵阳 621900
用HF酸刻蚀熔石英元件，研究刻蚀对元件后表面划痕的形貌结构及损伤性能的影响，探索损伤阈值提升的原因.时域有限差分算法理论计算结果表明：对于含有50 nm直径氧化锆颗粒的划痕，对入射光调制引发场增强的最大值是入射光强的6.1倍，且最强点位于划痕内部氧化锆颗粒附近，而结构相同但不含杂质的划痕引发的最大场增强为入射光强的3.6倍，最强区位于划痕外围；HF酸刻蚀能够有效去除划痕中的杂质，改变划痕结构，增加其宽深比值，经刻蚀的划痕对入射光调制引发场增强降低到入射光强的2.2倍.实验结果表明，经过深度刻蚀的划痕初始损伤阈值较刻蚀之前提高一倍多；光热弱吸收测试仪测试刻蚀后划痕对1 064 nm激光的吸收最大值仅为230 ppm.HF酸刻蚀同时可以提升元件整体损伤阈值，由于元件上无缺陷区域损伤阈值随刻蚀的深入先增加后降低，因此HF酸刻蚀应进行到元件损伤阈值提升到最大值为止.
HF酸刻蚀 熔石英 亚表面划痕 损伤特性 HF etching Fused silica Subsurface crack Damage properties
中国科学院西安光学精密机械研究机所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
基于飞秒激光光刻技术和氢氟酸对光学玻璃的刻蚀，在K9光学玻璃表面制作了凹面微透镜阵列，并且可以以此为模板实现凸微透镜阵列的大量复制.用相位对比显微镜和扫描电子显微镜分析了微透镜阵列的表面轮廓，测试了微透镜阵列的光学衍射特征.该方法简单、透镜参量可控，制作的微透镜阵列能够用于分光、光束匀化、并行光刻等强激光领域.
飞秒激光 酸刻蚀 凹面微透镜阵列 Femtosecond laser Hydrofluoric acid etching Concave microlens array
