1 英利能源(中国)有限公司, 河北 保定 071051
2 光伏材料与技术国家重点实验室, 河北 保定 071051
3 河北流云新能源科技有限公司, 河北 保定071051
利用光致发光技术对两种厚度的多晶硅片进行缺陷检测并分类, 在缺陷比例相同的条件下分析了硅片厚度对太阳电池性能的影响。薄(175 μm)太阳电池在开路电压、短路电流、转换效率方面明显低于同等缺陷的厚(190 μm)电池, 即硅片厚度的降低会引起电池性能的下降。此外, 厚度降低后, 低缺陷硅片的电池效率损失大于高缺陷硅片。
光致发光 多晶硅片 厚度 缺陷比例 效率损失 photoluminescence multicrystalline silicon wafer thickness defect ratio efficiency loss
为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题, 对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明, 金刚石线切割多晶硅片表面存在约33%的光滑条带区域, 其余为与砂浆切割硅片表面相近的粗糙崩坑区域;这些光滑区域使得金刚石切割多晶硅片表面光反射率比砂浆切割多晶硅片高3%~4%;而且光滑区域在富HNO3和富HF的HF-HNO3-H2O混合酸溶液中均较难于腐蚀, 使其刻蚀制绒后反射率比砂浆切割多晶硅片低1%~2%, 制绒后的金刚石切割多晶硅片反射率比制绒后的砂浆切割多晶硅片高4%~6%, 不能满足太阳电池生产要求.富HNO3和富HF两种酸刻蚀体系, 均不能解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题.
多晶硅 金刚石线锯 酸刻蚀 制绒 反射率 Multicrystalline silicon wafer Diamond wire saw Acidic etching Texturization Reflectivity