贵州大学 大数据与信息工程学院 电子科学系 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室, 贵阳 550025
采用高温固相反应法制备了Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8∶Cr3+长余辉材料, 系统研究了掺杂对LiGa5O8∶Cr3+光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明, 所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射, 主发射峰位于717nm, 来源于Cr3+离子的2E→4A2特征跃迁, 与未进行掺杂的样品相比, 掺杂Si4+、Ge4+和Sn4+离子的LiGa5O8∶Cr3+余辉发光强度均得到增强, 余辉性能显著改善。热释光测试结果表明, Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺入主要提高了LiGa5O8∶Cr3+的陷阱浓度, 且使得有效陷阱的数量增加, 从而改善了LiGa5O8∶Cr3+的余辉性能。
长余辉 近红外 掺杂 陷阱 persistent luminescence nearinfrared doping trap
1 贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室, 贵州 贵阳 550025
2 贵州民族大学 数据科学与信息工程学院, 贵州 贵阳 550025
采用高温固相反应法制备了Sr1-xCaxSi2O2N2∶Eu2+系列荧光粉, 研究Y3+离子掺入对荧光粉发光性能的影响。对于SrSi2O2N2∶Eu2+, Y3+离子掺入主要起到稳定Eu2+价态的作用, 避免Eu2+氧化为Eu3+, 从而提高SrSi2O2N2∶Eu2+的发光性能。对于CaSi2O2N2∶Eu2+, Y3+离子掺入除了稳定Eu2+价态作用外, 还能有效减小Eu2+取代Ca2+后晶格膨胀引起的应力, 提高Eu2+在晶格中的溶解度。Sr1-xCaxSi2O2N2∶Eu2+(x=0,0.15,0.3,0.6,0.75,0.95)系列荧光粉中随着Ca含量的增加, 共掺Y3+离子对样品发光强度的提高程度也随之增加(20%~80%)。
发光性能 稀土 Y3+掺杂 Sr1-xCaxSi2O2N2∶Eu2+ Sr1-xCaxSi2O2N2∶Eu2+ luminescence rare earths Y3+ doping
对GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片结构进行了优化设计, 并详细介绍了它的工作原理。文中采用 Cadence 公司的 Virtuoso Spectre Circuit Simulator软件, 通过设计芯片像素单元TFT晶体管的参数, 研究了阵列芯片中LED的输出电流波形。仿真结果显示通过阵列芯片中LED电流达到了54.86mA, 为芯片提供了足够的导通电流。研究结果表明TFT-LED有源阵列显示芯片结构的优势在于减少外围设备的同时增大导通电流。
GaN基LED 有源阵列 TFT TFT GaN-based LED Cadence Cadence active-matrix
贵州大学 电子科学与信息技术学院，贵州 贵阳550025
同步问题是正交频分复用(OFDM)应用中的关键技术。文章研究了基于训练序列的Schmidl&Cox算法(简称SC算法)，并针对SC算法误差大的缺点，采用了增加计算点数和平滑最大值处理方法来进行算法的改进。通过MATLAB进行的仿真分析表明，改进后的算法虽然计算量有所增加，但有效减少了符号定时的波动，在低信噪比情况下定时同步性能有明显改善。
正交频分复用 符号同步 训练序列 最大似然 OFDM symbol synchronization training sequence maximum likelihood
