摩擦Mura是ADS 型TFT-LCD中一种常见不良, 本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质, 摩擦时对摩擦布损伤较大, 摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大, 摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤, 设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响, 孔径直径(5 μm)＜摩擦布毛直径(11 μm), 密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例, 对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化, 摩擦Mura发生率从5%降至0%, 改善效果明显。

大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在传统生长技术基础上, 开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究, 设计制作大型培养槽及载晶架, 采用过热注种方式试验点籽晶生长, 培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶, 其(100)面生长速度稳定为15 mm/d。晶体在300~1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同, 影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+, Cr3+, Al3+等含量少于10-6, 晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2, 三倍频阈值达到8.6 J/cm2。

探讨了掺杂酸性络合剂和连续过滤两种溶液处理方法分别对KDP晶体和DKDP晶体快速生长和光学质量的影响, 测定了不同部位晶体样品的光学质量, 包括透过率, 散射点分布情况和激光的损伤阈值。实验表明适量的络合剂能提高生长晶体的质量：晶体中杂质金属离子含量明显减少, 紫外波段的透过率得到增加, 晶体内部散射点密度明显降低。采用连续过滤条件生长DKDP单晶, 光学质量测试的结果显示：晶体散射点密度显著降低, 激光损伤阈值得到提高。