作者单位
摘要
1 北京工业大学材料科学与工程学院,北京 100124
2 北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京 100124
3 北京玻璃研究院,北京 101111
反式二苯乙烯(TSB)晶体是一种可用于较强γ辐射下进行快中子检测的优良闪烁材料。由于溶液法得到的晶体在质量、性能等方面所表现的优越性,有必要对TSB晶体的溶液法生长技术进行系统研究。本文介绍了国内外关于TSB晶体的溶液降温法生长研究过程和取得的进展,对相应研究结果进行了分析,并提出了尚存在的问题。
反式二苯乙烯(TSB) 溶液降温法 晶体生长 trans-stilbene(TSB) solution cooling method crystal growth 
人工晶体学报
2020, 49(4): 724
作者单位
摘要
上海大学理学院物理系,上海 200444
传统的人工生长大尺寸 磷酸二氢钾(KDP)单晶过程中,柱面生长很慢,锥面的生长速度较快。 实验利用恒温蒸发溶剂的办法,生长出了截面较大的KDP单晶体(8mm×22mm×45mm)。 柱面的生长速度较传统的溶液降温法得到了有效提高,尤其是向下的方向更加明显, 这主要是液面下降,溶质边界层浓度梯度发生持续变化促使晶体快速生长造成的。 为溶液的提纯、预热以及起始温度选择等积累了经验。实验也为后续的晶体生长打下了很好的基础。
非线性光学 KDP晶体 溶液降温法 边界层 nonlinear optics KDP crystal temperature-lowering method boundary layer 
量子电子学报
2012, 29(3): 353
作者单位
摘要
1 中国科学院 福建物质结构研究所, 福州 350002
2 中国科学院 上海光学精密机械研究所, 上海 201800
大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在传统生长技术基础上, 开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究, 设计制作大型培养槽及载晶架, 采用过热注种方式试验点籽晶生长, 培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶, 其(100)面生长速度稳定为15 mm/d。晶体在300~1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同, 影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+, Cr3+, Al3+等含量少于10-6, 晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2, 三倍频阈值达到8.6 J/cm2。
KDP晶体 透过光谱 损伤阈值 快速生长 降温法 KDP crystal transmittance spectra laser-induced damage rapid growth temperature reduction method 
强激光与粒子束
2010, 22(12): 2857

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