TFT-LCD的摩擦工艺中, 容易产生摩擦Mura、L0 条形不均、摩擦划伤等不良。分析及验证发现: 摩擦Mura的发生与摩擦强度较弱, 聚酰亚胺膜配向力不足引起像素漏光相关。选择摩擦强度好的尼龙布, 并控制摩擦布寿命在100张基板以下, 可以有效控制不良的发生。通过工艺调整加强摩擦强度时需考虑Zara发生情况, 选择摩擦Mura和Zara总体发生较低的摩擦强度是必要的。采用摩擦辊垂直基板短边设计, 可一定程度控制摩擦Mura的发生; 长条型像素设计可从源头防止漏光产生。产品设计时避免显示区延伸区域大块金属的干涉可一定程度防止条形不均发生, 以信号层作为绑定IC引线较之开关层做引线对条形不均改善有更好的效果。棉布的棉籽剪裁、摩擦设备机台的及时有效清洁、基板来料的超声波清洗是防止摩擦划伤发生的有效保证。

摩擦Mura是ADS 型TFT-LCD中一种常见不良, 本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质, 摩擦时对摩擦布损伤较大, 摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大, 摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤, 设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响, 孔径直径(5 μm)＜摩擦布毛直径(11 μm), 密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例, 对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化, 摩擦Mura发生率从5%降至0%, 改善效果明显。

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷，尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析，发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data，SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix，BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响，选择最优的工艺条件，Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%，改善效果明显。

研究了摩擦强度对Zara漏光和摩擦痕Mura的影响。实验表明，当摩擦强度偏低时，Zara漏光易发生，而摩擦强度偏高时，则易引发摩擦痕Mura。通过选择合适的摩擦强度，可降低Zara漏光和摩擦痕Mura的发生率。另外，利用FIB对基板表面进行分析，找到了FFS型产品容易发生Zara漏光和摩擦痕 Mura的原因。