在TFT-LCD（Thin film transistor-liquid crystal display）行业中, 进行摩擦工艺制程时, 玻璃基板与机台接触、分离; 摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程, 都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver on Array)产品,结合摩擦工艺参数、生产环境, 进行了一系列静电相关验证。验证发现: 摩擦工艺中摩擦布寿命、环境湿度对静电发生影响很大。摩擦布寿命越靠后, 静电越容易发生; 湿度越大, 静电越不容易发生。摩擦机台顶针上升速度、摩擦布类型也对静电发生有一定影响, 顶针缓慢上升, 静电不容易发生; 摩擦棉布较尼龙布静电效果相对较好。而针对摩擦工艺发生的静电失效不良,光配向替代是一种根本的解决方法,导入光配向工艺后, 摩擦相关静电失效不良由量产6.8%下降为0%。

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷，尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析，发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data，SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix，BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响，选择最优的工艺条件，Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%，改善效果明显。

为降低TFT-LCD生产过程中切换残影不良的发生率, 在考虑残影的主要影响因素基础上, 采用实验设计(DOE) 中的部分因子实验设计筛选该不良的显著因子, 结合生产实际开展切换残影的改善研究工作。研究结果表明: DOE方法能有效辨别残影不良的显著因子有覆盖层(Over coater, OC)、重叠部分(ITO-Vcom Overlay, OL)和摩擦扭转力(Rubbing Torque), 在实际生产的不良改善过程中, 彩膜玻璃(Color Filter, CF)增加OC、加大OL和提高Rubbing Torque值均能有效降低残影不良发生率; 研究结果为切换残影和改善TFT-LCD生产过程中其他不良提供了新思路。