为提高产能, 笔记本电脑超高级超维场开关(HADS)产品的聚酰亚胺(PI)膜涂布方式从辊涂的感光树脂转印版(APR版)转印变更为喷墨打印, 涂布方式的变更造成了PI液滴无法填充到高段差钝化层(PVX)过孔内, 进而在过孔周围PI液堆积产生宏观“线Mura”不良。我们通过变更产品设计与工艺参数调整以及工艺过程优化, 设法降低或消除不良产品, 使良率满足量产需求。首先, 通过变更钝化层掩膜版使得钝化层过孔和Com走线有一定偏移量(钝化层半过孔), 半过孔设计利于PI液通过半过孔缺口设计进入钝化层过孔内。为了减小钝化层过孔尺寸和数量对PI液扩散的不利影响, 钝化层过孔周期从1/3变更为1/6,过孔尺寸从5.7 μm增大到7.5 μm。钝化层掩膜版设计的变更极大改善了PI液进入过孔内, 将“线Mura”不良率从100%降为15%。其次, 从提高PI液滴涂布均匀性方向出发, 将喷墨打印涂布方式从1次涂布变更为2次涂布, 2次涂布的叠加效果使相邻液滴间扩散时间更久, 液滴间距更小, 膜厚更均匀, 使“线Mura”不良率从15%降为1%。再次, 通过改变PI液滴在过孔周围走线的扩散方向来提高扩散均匀性, 通过将喷墨打印机台角度从0°变为2°, 进一步使“线Mura”不良率从1%降为0.2%。
PVX过孔 聚酰亚胺液 喷墨打印涂布 扩散 工艺优化 PVX via hole polyimide solution inkjet printing diffusion process optimization
为提高产能, 笔记本电脑超高级超维场开关(HADS)显示产品的聚酰亚胺(PI)膜涂布方式从滚筒涂布的感光树脂转印版 (APR)转印变更为喷墨打印, 涂布方式的变更造成了PI液滴在面板周边Vcom过孔和走线密集处扩散困难, 难以扩散的PI液滴在面板边缘聚集形成周边黑线不良。首先, 通过变更PVX(passivation SiNx, 钝化层)掩膜版解决Vcom过孔周边PI液扩散不均问题,即通过改变面板周边过孔周期、尺寸以及距离像素区间距来减小过孔存在的影响, GP (Gate pad)侧过孔数量变为原来1/8, 过孔面积比原来减小了98%, DP (Date pad)侧过孔数量变为原来的1/9, 过孔面积比原来减小99%, 同时DP侧过孔与像素区间距增大60%, PVX掩膜版变更极大地改善了PI液滴在过孔周围的扩散均匀性, 最终周边黑线发生率从100%减小为6.6%。其次, 通过变更喷墨打印涂布工艺来减小面板周边PI液积聚程度, 我们开发出喷墨打印边缘补正功能, 即保持像素区膜厚不变, 面板边缘区域膜厚减少。 边缘区域PI液的减少降低了该区域PI液积聚的可能性, 边缘补正功能使得周边黑线发生率从6.6%降至0.5%。再次, 阵列基板采用条形涂覆方式, 即GP侧PI液全涂覆, 周边黑线不良发生率降至0.05%。通过变更PVX掩膜版设计和喷墨打印涂布工艺参数, 周边黑线不良发生率从100%减小为0.05%, 满足量产需求。
TFT基板 周边设计 聚酰亚胺液 扩散 TFT substrate peripheral design polyimide solution diffusion
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院, 成都610064
3 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
利用高分子网络凝胶法制备了Eu∶YAG纳米粉体, 样品的性能通过热重-差热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激发谱和发光光谱进行了表征。结果表明, Eu∶YAG纳米晶体的形成温度为900℃, 比固相反应法低700℃; Eu∶YAG纳米粉体呈珊瑚虫状形貌, 粒径大小为100~150nm;Eu∶YAG纳米粉体的荧光谱在594nm处出现最强发射峰, 发光强度随着Eu3+浓度从1 at.% 增加至5 at.%的过程而逐渐增强, 在浓度继续由6 at.%增加至8 at.%的过程中出现了浓度猝灭现象, 并讨论了引起该现象的机理原因。
Eu∶YAG纳米粉体 高分子网络凝胶 结晶 形貌 发光 Eu∶YAG nano-phosphors polyacrylamide gel crystallization morphology luminescence
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610064
3 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
采用简单的电化学沉积方法, 通过调节电解液浓度和pH值, 在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱等表征手段对不同形貌的ZnO纳米结构进行了研究。研究发现, 通过调节沉积条件, 可以获得纳米棒、纳米簇丛和纳米片等不同形貌的ZnO纳米结构。其中, 溶液pH值是纳米ZnO从一维结构到二维结构转变的关键因素。当pH值为12时, 所获得的纳米ZnO为二维片状结构。光致发光谱显示二维ZnO纳米片的紫外本征峰相对于一维ZnO纳米棒发生了明显的蓝移, 并且可见区的发光峰大大降低。这一结构将在光电器件、传感器等领域有很好的应用前景。
电化学沉积 形貌 光致发光 ZnO ZnO electrochemical deposition morphology photoluminescence
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院，微电子科学与技术四川省重点实验室，成都 610064
3 四川大学重庆光电技术研究所，重庆 40006
以Al(NO3)3·9H2O、Y(NO3)3·6H2O 和 Nd(NO3)3·6H2O为原材料，丙烯酰胺和N′N亚甲基双丙烯酰胺为单体和网络剂，采用高分子网络凝胶法制备了Nd∶YAG纳米粉体。分别用热重差热分析、Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和荧光分光光度计对所得样品进行表征。结果表明，钇铝石榴石晶相的形成温度为880℃，粉体呈珊瑚虫状，粒径随着温度的升高而增大。Nd∶YAG纳米粉在401nm处有强烈的发光峰，可以作为紫光光源的考虑对象；另外在研究中还发现了Nd3+在YAG中的浓度猝灭现象。
高分子网络凝胶 形貌 发光性能 Nd∶YAG Nd∶YAG polyacrylamide gel morphology luminescent properties
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院
3 四川大学国家生物材料工程研究中心, 成都610064
以氯化锌、草酸钠和多酚为原料, 通过沉淀反应及调节多酚浓度制得形貌可控的二水草酸锌晶体, 再通过热分解得到三维自组装纳米氧化锌结构。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TG-DTA)和荧光分光光度计(PL)对制备的样品进行表征。结果表明: 随着多酚含量的增加, 四方块状二水草酸锌出现了中空结构, 当多酚浓度达到20mg/mL时晶体变成无规则的小碎块。当多酚含量为3.0mg/mL时, 晶体尺寸最大。光致发光谱显示三维氧化锌发出很强的蓝绿光, 并随着退火温度的升高而增强。
氧化锌 三维纳米结构 二水草酸锌 多酚 ZnO 3D nano-structures zinc oxalate dihydrate polyphenols
