1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院, 成都610064
3 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
利用高分子网络凝胶法制备了Eu∶YAG纳米粉体, 样品的性能通过热重-差热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激发谱和发光光谱进行了表征。结果表明, Eu∶YAG纳米晶体的形成温度为900℃, 比固相反应法低700℃; Eu∶YAG纳米粉体呈珊瑚虫状形貌, 粒径大小为100~150nm;Eu∶YAG纳米粉体的荧光谱在594nm处出现最强发射峰, 发光强度随着Eu3+浓度从1 at.% 增加至5 at.%的过程而逐渐增强, 在浓度继续由6 at.%增加至8 at.%的过程中出现了浓度猝灭现象, 并讨论了引起该现象的机理原因。
Eu∶YAG纳米粉体 高分子网络凝胶 结晶 形貌 发光 Eu∶YAG nano-phosphors polyacrylamide gel crystallization morphology luminescence
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610064
3 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
采用简单的电化学沉积方法, 通过调节电解液浓度和pH值, 在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱等表征手段对不同形貌的ZnO纳米结构进行了研究。研究发现, 通过调节沉积条件, 可以获得纳米棒、纳米簇丛和纳米片等不同形貌的ZnO纳米结构。其中, 溶液pH值是纳米ZnO从一维结构到二维结构转变的关键因素。当pH值为12时, 所获得的纳米ZnO为二维片状结构。光致发光谱显示二维ZnO纳米片的紫外本征峰相对于一维ZnO纳米棒发生了明显的蓝移, 并且可见区的发光峰大大降低。这一结构将在光电器件、传感器等领域有很好的应用前景。
电化学沉积 形貌 光致发光 ZnO ZnO electrochemical deposition morphology photoluminescence
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院，微电子科学与技术四川省重点实验室，成都 610064
3 四川大学重庆光电技术研究所，重庆 40006
以Al(NO3)3·9H2O、Y(NO3)3·6H2O 和 Nd(NO3)3·6H2O为原材料，丙烯酰胺和N′N亚甲基双丙烯酰胺为单体和网络剂，采用高分子网络凝胶法制备了Nd∶YAG纳米粉体。分别用热重差热分析、Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和荧光分光光度计对所得样品进行表征。结果表明，钇铝石榴石晶相的形成温度为880℃，粉体呈珊瑚虫状，粒径随着温度的升高而增大。Nd∶YAG纳米粉在401nm处有强烈的发光峰，可以作为紫光光源的考虑对象；另外在研究中还发现了Nd3+在YAG中的浓度猝灭现象。
高分子网络凝胶 形貌 发光性能 Nd∶YAG Nd∶YAG polyacrylamide gel morphology luminescent properties
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院
3 四川大学国家生物材料工程研究中心, 成都610064
以氯化锌、草酸钠和多酚为原料, 通过沉淀反应及调节多酚浓度制得形貌可控的二水草酸锌晶体, 再通过热分解得到三维自组装纳米氧化锌结构。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TG-DTA)和荧光分光光度计(PL)对制备的样品进行表征。结果表明: 随着多酚含量的增加, 四方块状二水草酸锌出现了中空结构, 当多酚浓度达到20mg/mL时晶体变成无规则的小碎块。当多酚含量为3.0mg/mL时, 晶体尺寸最大。光致发光谱显示三维氧化锌发出很强的蓝绿光, 并随着退火温度的升高而增强。
氧化锌 三维纳米结构 二水草酸锌 多酚 ZnO 3D nano-structures zinc oxalate dihydrate polyphenols
1 四川大学材料科学与工程学院
2 四川大学物理科学与技术学院微电子科学与技术四川省重点实验室， 成都 610064
3 四川大学重庆光电技术研究所， 重庆 400060
利用电化学阳极氧化法，通过控制电流密度和电解液的成分，在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构，利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。
多孔硅 电化学阳极氧化 氢饱和处理 光致发光 porous silicon electrochemical anodization hydrogen saturation photoluminescence
1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
2 四川大学材料科学与技术学院, 成都 610064
本文采用LPCVD技术在高温条件下, 利用甲烷和氢气混合气体作为碳源, 在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现: 温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响, 并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的FT-IR反射峰强度影响非常大; 在室温测试条件下, 3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。
立方碳化硅 薄膜 光学性质 晶格失配 热膨胀系数 cubic silicon carbide thin film optic characterization lattice mismatch thermal expansion coefficient
1 四川大学物理科学与技术学院微电子实验室, 成都 610064
2 四川大学分析测试中心, 成都 610064
3 四川大学材料科学与技术学院, 成都 610064
采用LPCVD技术, 以CH4和H2混合气体为反应源气, 在n-Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体, CH4作为碳源, 硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
立方碳化硅 拉曼散射光谱 傅里叶变换红外光谱 剩余射线带 cubic silicon carbide Raman scattering spectra fourier transform infrared reststrahlen band
1 四川大学,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064
2 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064
3 四川大学,分析测试中心,四川,成都,610064
本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO).T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的.
纳米氧化锌 四角状 拉曼光谱 荧光光谱 缺陷
