中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料, 利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量, 分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化, 利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量, 分析了具有反型层Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率谱, 证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱 Hg1-xCdx Te crystal magneto-transport mobility spectrum secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95 K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
碲镉汞 梯度带隙 雪崩光电二极管 红外透射光谱 气相外延薄膜 HgCdTe Graded-gap Avalance photodiode Infrared transmission spectra Vaper phase epitaxy films
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室， 上海 200083
微重力条件下汽相生长CdZnTe晶体可以克服浮力对流，实现“无接触”生长，获得厚度均匀、结构完整、纯度高的材料。本文综述了国内外空间汽相生长CdZnTe晶体的研究进展。
微重力 汽相生长 microgravity CdZnTe CdZnTe vapor growth
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体，通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统，研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2~1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xCdxTe晶体的TA声子振动模式.利用德鲁德(Drude)模型对实验值进行拟合，得出组分x=0.388和0.326的Hg1-xCdxTe晶体的载流子浓度，与测得的实验值较为吻合.
太赫兹时域光谱 Hg1-xCdxTe晶体 载流子 Terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) Hg1-xCdxTe crystal Carrier
1 中国科学院上海技术物理所 a.红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理所 b.红外物理国家重点实验室,上海 200083
根据光整流效应辐射太赫兹理论，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比，当晶体方位角为0°或180°时，利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当，强于〈110〉晶向.利用电光取样原理，计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能，通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe 晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 THz emitter Optical rectification Electro-optic sampling ZnTe 〈331〉-oriented
