研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600 ℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600 ℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400 ℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10 ¹⁹ cm ^-3和4.2 cm ²·V ^-1·s ^-1,之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300 ℃升高到600 ℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。

在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜, 并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试, 研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐增大, AZO薄膜吸收边发生蓝移且吸收强度逐渐减小, 光学损耗减小;同时, 载流子浓度与迁移率先增大后减小, 而电学损耗先减小后增大。