本文对高膜厚PS材料进行了研究, 通过工艺优化, 成功在G5线实现了60~120 μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整, 得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究, 发现曝光量低于50 mJ时, PS材料无法有效成型; 当曝光量达到150 mJ时, 得到形貌良好, 达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究, 发现未进行增粘处理时, SiN基底粘附性良好, Mo基底还需继续优化处理。

为了在多波段图像融合中选用合适的直觉模糊化方法来处理不确定性问题, 对 5种常用的直觉模糊集方法在多波段图像融合中的应用进行了比较。首先将多波段图像进行直觉模糊化处理, 对隶属度图像进行去模糊化得到直觉模糊图像; 然后, 将直觉模糊图像进行非下采样轮廓波变换(Nonsubsampled contourlet transform, NSCT), 对低频图像进行直觉模糊化处理, 所得隶属度作为权重进行加权融合, 高频使用取大规则进行融合; 最后通过逆变换得到融合图像。对融合结果采用主观人眼视觉观察和客观评价指标体系进行分析比较, 得到较好的直觉模糊集方法的优势性能。实验结果表明, 与 Sugeno、Yogita、Yager及 Chaira四种直觉模糊化方法相比, Bala直觉模糊化方法可以有效提高融合结果的亮度和对比度, 而且融合结果边缘清晰, 纹理特征明显, 具有更好的视觉融合效果和客观质量评价。

利用像元分辨率公式和高斯光束传输理论, 设计了一种基于线阵InGaAs光电探测器的宽谱光源平均波长测试系统光路结构。在Zemax光学软件中建立了宽谱光源平均波长测试系统的光路模型, 并优化了该测试系统的光路结构参数。根据软件仿真建立的光路模型, 分析了位置偏差对准直光束平行度及系统光能利用率的影响, 得到了相应的变化曲线, 为宽谱光源平均波长测试系统的结构设计和装配提供了指导。

生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求, 纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前, 本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液, 得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关, 其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1 μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关, 通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应, 最终使得Array Mura得到了有效的改善, 后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求, 目前已经导入量产使用。

为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率, 本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比, 对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究, 根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先, 明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着, 对SD膜层的微观结构进行了表征。然后, 根据膜层结构和不同金属的电化学特征, 建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明: Mo、Al两种金属间存在1.47 V的电极电位差, 具有很强的电偶腐蚀倾向性, 且表层 Mo中存在10 nm级别的贯穿性孔洞, 直径为0.4 nm的水分子可轻易渗入, 进而引发电偶腐蚀。表层 Mo厚度增加25%后, 其腐蚀速度较量产条件降低30%, Lead Open发生率降低1.4个百分点, 维持在0.1%的较低水平, 满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。

在TFT-LCD的生产过程中，取向层表面针孔缺陷是造成产品不良的常见原因。应用聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)和光学测量系统(OMS)工具，并结合数据统计软件Business Objects(BO)对实际生产过程中的一种典型产品不良——黑点，进行了测试和分析。结果表明，取向层表面针孔缺陷是产生黑点不良的根本原因。在此基础上，进一步通过理论分析和实验研究证明，成膜过程中膜液的流体力学不稳定性是导致取向层表面针孔缺陷的重要原因，而固化时间则是影响流体力学不稳定性的重要参数。 膜液流体力学不稳定性的充分发展并最终对膜结构产生影响需要一定时间，当固化时间接近甚至小于不稳定性充分发展的时间时，取向层表面产生针孔缺陷的机会将大大减小甚至消除。