昆明理工大学国土资源工程学院，云南 昆明 650093
针对点云精简算法提取特征时较为依赖传统参数、特征提取不全面和特征边界易丢失等问题，提出一种使用冯·米塞斯（vMF）分布提取特征的点云精简方法。该方法首先利用邻域重心点构建向量，通过与法向之间的夹角关系设置阈值划分曲面，降低噪声对细节特征的影响；然后利用冯·米塞斯分布提取曲面点的优先度，实现全局特征提取；最后基于特征进行八叉树分级精简。实验结果表明：所提方法可有效提取细节特征，相比于基于曲率、Hausdorff距离的方法所提取到的特征，有着更好的特征提取效果；利用基于曲率、栅格、随机的精简算法与所提方法进行关于重建结果、3D偏差、定量分析的对比，证明所提精简方法效果更优。所提方法为点云特征提取和精简提供一种新的思路。
点云精简 特征提取 冯·米塞斯分布 八叉树 激光与光电子学进展
2023, 60(2): 0228002
1 中国科学院西安光学精密机械研究所,信息光子学室,西安,710068
2 新疆大学,信息科学与工程学院,新疆乌鲁木齐,830046
研究了Eu3+/Sm3+共掺聚合物PMMA中Sm3+对Eu3+发光的敏化效应,实验采用改进的本体聚合法制备得到了Eu3+/Sm3+共掺聚合物PMMA,并对其荧光光谱和荧光寿命进行了分析.荧光光谱分析发现,Sm(TTFA)3的加入大大增强了Eu3+的特征发光,表明Sm3+对Eu3+的荧光有很强的敏化效应,文中对其敏化过程进行了探讨与分析,提出了两种可能的敏化机理.荧光寿命分析表明,在共掺情况下,掺杂浓度对荧光寿命没有明显的影响,寿命范围在300～400 μs之间.
光学 敏化机理 Eu3+/Sm3+共掺 荧光强度 荧光寿命 PMMA
华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东 广州，510631
制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃，350℃，400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示，温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响。随着成核温度的升高，InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低。
光电子学 有机金属化学气相沉积 光子晶体 人工欧泊 温度 optoelectronics metal organic chemical vapor deposition photonic crystal artificial opal temperature
华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东 广州 510631
氮基四元Ⅲ－Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件。可以通过改变AlxGayIn1－x－yN组分的大小，得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度，但是由于在给定组分下A1GaInN难以稳定生长。所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性，得出了AlGaInN不稳定的二相区间，并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系。希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用。
光电子学 相分离 价力场 optoelectronics phase separation valence force field A1xGayIn1－x－yN AlxGayIn11－x－y LED LED
1 中国科学院西安光学精密机械研究所信息光子学室，西安 710068
2 中国航空工业第一集团公司第618研究所惯导部，西安 710065
以噻吩甲酰三氟丙酮(2－thenoyltrifluoroacetone，TTFA)，六氟乙酰丙酮(hexafluoroacetylacetone，HFA)和甲基联苯甲酰(dibenzoylmethide，DBM)分别为配体合成了Eu3+的三种β－二酮类配合物Eu(TTFA)3、Eu(HFA)3和Eu(DBM)3，以及掺杂这三种配合物的聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)，并用分光光度计对它们的荧光光谱特性进行了分析研究．结果表明，三种配合物中Eu(TTFA)3荧光强度最强，并分析了其原因，发现能级匹配、配体取代基、配体结构对称性等均对配合物发光效率有重要的影响．通过比对，证明了TTFA是Eu3+发红色荧光的优良配体．进一步研究还发现，Eu(TTFA)3掺杂PMMA中稀土离子的荧光强度和荧光寿命均随掺杂浓度(质量分数为0．08～0．5)的增加而增大．
稀土配合物 荧光强度 荧光寿命 光谱特性 Rare earth complex Eu (TTFA)3 Eu(TTFA)3 Fluorescence intensity Fluorescence lifetime PMMA PMMA Spectra properties
华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631
采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究,计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化,在49.8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大,其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小,由0°入射的反射率88.13%降至45°的84.94%,反射峰值波长蓝移仅10 nm;但入射角对(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大,仅从0°到45°入射,反射率降幅就超过45%,反射峰值波长蓝移超过127 nm。为了减缓这种影响,提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0°～45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。
光电子学 分布布拉格反射器 传输矩阵法 入射角
中国科学院西安光学精密机械研究所光纤与集成光学研究室,西安,710068
本文采用直接对矩形波板成像的办法,测得系统的对比传递函数,然后再利用系统对比传递函数与系统的调制传递函数的关系,得到系统的调制传递函数.该方法克服了传统刀口扫描法的缺陷,消除了由于离散型光学元件的离散性产生的空间非平移不变性的影响,减小了测量误差,提高了精确度.
调制传递函数 对比传递函数 耦合器件 矩形波板 Optical transfer function Contrast transfer function Coupled device Rectangle bar
1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
2 国防科技大学光子晶体研究中心,长沙,410073
3 华南师范大学光电子材?嫌爰际跹芯克?广州,510631
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.
光子晶体 人工欧泊 光子带隙 MOCVD Photonic crystal Artificial opal crystal Photonic band gap MOCVD
1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
2 华南理工大学测试中心,广州 510630
人工蛋白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料,介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。
光子晶体 二氧化硅 人工蛋白石 改性
华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.
光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光 optodectrctronics double crystal X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition quantum wells photoluminescence
