1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF)质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果,讨论了该分子可能的mPI过程,得到了较高能量下SI+的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主,而SI＝(N＝1～3)的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。
四甲基硅 多光子过程 A类化学行为 B类光化学行为 质谱峰宽
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究。得到了激光激发波长在383～373 nm内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的MPI机理。
四甲基硅 多光子电离 A类光化学行为 B类光化学行为
