1 河南师范大学物理系,河南新乡,453002
2 空军第一航空学院基础部,河南信阳,464000
在355 nm的激光作用下,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3)4分子多光子电离(MPI)质谱分布.测量了Si(CH3)+4,Si(CH3)+3,Si(CH3)+2,Si(CH3)+及Si+离子的激光光强指数,检测了这5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道,得到了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离,Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离,Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.
四甲基硅 多光子解离电离 多光子电离解离 反应动力学 质谱
1 空军第一航空学院基础部,信阳,464000
2 河南师范大学物理系,新乡,453002
利用平行板电极装置研究了四甲基硅在 410～ 378nm内的MPI光谱 ;利用TOF质谱仪研究了该分子在 40 2～ 371nm内若干个波长点处的TOF质谱 ;利用四极质谱装置研究了它在 35 5nm处的MPI质谱。测得了 35 5nm下Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3,4)及Si+ 的激光光强指数 ,以及其信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程的可能通道 ,得出了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离 硅原子的电离、Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离、Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的(3+1)电离的结论。
四甲基硅 多光子解离电离 多光子电离解离 反应动力学 质谱 Tet ramethylsilane Multiphoton dissociation followed by ionization Multiphoton ionization followed by dissociation Reaction kinetics Mass spect ra 原子与分子物理学报
2002, 19(2): 126
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF)质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果,讨论了该分子可能的mPI过程,得到了较高能量下SI+的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主,而SI＝(N＝1～3)的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。
四甲基硅 多光子过程 A类化学行为 B类光化学行为 质谱峰宽
1 空军第一航空学院基础部, 信阳464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文采用超声分子束技术,以飞行时间质谱仪,在396～387ｎｍ内的紫激光作用下对四甲基硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究,在较高的激光能量作用下检测到了Ｓｉ(ＣＨ3)(ｎ＝1,2,3,)、Ｓｉ9及等多种离子的信号,在较低的激光能量作用下只检测到了Ｓｉ9、等离子的信号,表明四甲基硅在不同激光能量作用下经历了不同的多光子电离过程.
四甲基硅 飞行时间质谱 多光子电离
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
4 中国科学技术大学近代化学系, 合肥 230026
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究.得到了激光激发波长在402～392 nm内的多光子电离光谱,获得了某些波长处的飞行时间质谱,并据此讨论了该分子在这个区域内可能的MPI机理.
多光子电离光谱 飞行时间质谱 四甲基硅
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究。得到了激光激发波长在383～373 nm内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的MPI机理。
四甲基硅 多光子电离 A类光化学行为 B类光化学行为
