1 中国科学院化学研究所分子反应动力学国家重点实验室, 北京
2 天津大学精密仪器系, 天津 300072
采用国产元件组装了掺钛蓝宝石飞秒激光振荡器,获得了脉宽52fs的稳定输出,并实现了较高效率的情频,以此为基础发展出一种新的实验方法-飞秒时间分辨受激发射泵浦荧光凹陷探测技术,并用它观察了激光染料LDS 821的超快弛豫过程。
飞秒时间分辨 受激发射泵浦 弛豫
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF)质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果,讨论了该分子可能的mPI过程,得到了较高能量下SI+的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主,而SI＝(N＝1～3)的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。
四甲基硅 多光子过程 A类化学行为 B类光化学行为 质谱峰宽
1 空军第一航空学院基础部, 信阳464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文采用超声分子束技术,以飞行时间质谱仪,在396～387ｎｍ内的紫激光作用下对四甲基硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究,在较高的激光能量作用下检测到了Ｓｉ(ＣＨ3)(ｎ＝1,2,3,)、Ｓｉ9及等多种离子的信号,在较低的激光能量作用下只检测到了Ｓｉ9、等离子的信号,表明四甲基硅在不同激光能量作用下经历了不同的多光子电离过程.
四甲基硅 飞行时间质谱 多光子电离
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
4 中国科学技术大学近代化学系, 合肥 230026
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究.得到了激光激发波长在402～392 nm内的多光子电离光谱,获得了某些波长处的飞行时间质谱,并据此讨论了该分子在这个区域内可能的MPI机理.
多光子电离光谱 飞行时间质谱 四甲基硅
1 中国科学技术大学, 合肥 230026
2 中国科学院高能物理研究所, 北京 100039
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
结合DV-Xα方法的理论计算结果,对激光蒸发方法产生的SixN团簇离子的形成和稳定性进行了细致的研究。发现上述四簇离子可能以SiN3或SiN4作为初始单元,较大的团簇离子可由某种单元与另一质谱上较稳定的复合分子组成。质谱强度变化的规律表明:若团簇离子质量是Si原子量的倍数时,呈现极大值,此时,团簇离子包含偶数个N原子。其奇偶性是由初始单元强度差异引起的。
团簇 激光蒸发 构型
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究。得到了激光激发波长在383～373 nm内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的MPI机理。
四甲基硅 多光子电离 A类光化学行为 B类光化学行为
1 中国科学技术大学化学系，合肥
2 南加利福尼亚大学化学系
