以强激光应用在化学工程中所遇到的物理问题为背景,研究介质的热透镜效应、吸收强弱、吸收饱和程度以及介质的流动等因素对激光传播的影响。根据一组简化模型,提出了描述光场行为的方程组,给出了不同情况下介质的温度分布情况、光线在介质中的变化行为以及激光光强的分布变化情况。所得结果,对光化学工程设计有一定的参考价值。
强激光 饱和吸收 非均匀色散 传播
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF)质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果,讨论了该分子可能的mPI过程,得到了较高能量下SI+的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主,而SI＝(N＝1～3)的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。
四甲基硅 多光子过程 A类化学行为 B类光化学行为 质谱峰宽
1 空军第一航空学院基础部, 信阳464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文采用超声分子束技术,以飞行时间质谱仪,在396～387ｎｍ内的紫激光作用下对四甲基硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究,在较高的激光能量作用下检测到了Ｓｉ(ＣＨ3)(ｎ＝1,2,3,)、Ｓｉ9及等多种离子的信号,在较低的激光能量作用下只检测到了Ｓｉ9、等离子的信号,表明四甲基硅在不同激光能量作用下经历了不同的多光子电离过程.
四甲基硅 飞行时间质谱 多光子电离
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科学院化学研究所, 北京 100080
4 中国科学技术大学近代化学系, 合肥 230026
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究.得到了激光激发波长在402～392 nm内的多光子电离光谱,获得了某些波长处的飞行时间质谱,并据此讨论了该分子在这个区域内可能的MPI机理.
多光子电离光谱 飞行时间质谱 四甲基硅
1 空军第一航空学院基础部, 信阳 464000
2 信阳师范学院物理系, 信阳 464000
3 中国科技大学近代化学系, 合肥 230026
4 中国科学院化学研究所, 北京 100080
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离(MPI)光谱及飞行时间(TOF)质谱的研究。得到了激光激发波长在383～373 nm内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的MPI机理。
四甲基硅 多光子电离 A类光化学行为 B类光化学行为
用632.8nm CW激光获得了Li2分子A1∑u+(v′=15,J′=2)→X1∑g+(v″=1～13,J″=1,3)R、P支双线LIF光谱。同时用光谱分析及碰撞动力学研究识别出另一支单线序列光谱来自b3Ⅱu(vb=21,Nb=1)→X1∑g+(v″=3～6,J″=1)CIF发射。
激光诱导荧光(LIF) 碰撞诱导荧光(CIF)
1 中国科学院力学研究所
2 中国科学技术大学近代化学系
被多光子吸收所激发而处于高激发态的分子通过碰撞传能将原子激发至电子激发态,产生波长远较激励激光短的荧光.对这种激光激发-碰撞传能诱导的荧光的动力学进行了分析.
微观动力学 V-E碰撞传能 激光诱导原子荧光
