以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO3)3·6H2O为催化剂前驱体，在流动Ar气中合成了3C-SiC纳米线。研究了反应温度、催化剂用量对合成3C-SiC粉体反应的影响。用第一性原理计算分析了Co纳米颗粒的催化机理，研究了3C-SiC纳米线的光致发光性能。结果表明：催化剂Co的引入降低了硅粉碳化反应生成SiC的开始反应温度和完全反应温度。催化剂Co的加入量为3% (质量分数)时，1 573 K保温3 h反应后合成的3C-SiC纳米线的直径为50～60 nm，长度约几十微米，其生长机理主要为气-固反应。Co纳米颗粒与反应物之间的吸附作用降低了C=C键、C-O键和Si-O键的结合，从而促进了SiC的成核与生长。激发波长为254 nm时，3C-SiC纳米线的室温光致发光谱的特征峰在307 nm，该纳米线在光电子纳米材料领域有良好的应用前景。

以天然鳞片石墨和聚丙烯腈基碳纤维为原料, 以HClO3-H3PO4-CrO3为插层剂, 乙醇为分散剂, 制备了膨胀石墨/碳纤维复合干扰材料。用扫描电镜、四探针法及毫米波动态测试系统表征了复合干扰材料的形貌、导电性及毫米波衰减性能。研究表明, 碳纤维呈单根分散, 均匀搭连在膨胀石墨表面。在一定的质量范围内, 碳纤维的加入使膨胀石墨的导电性能明显增强, 毫米波衰减性能显著提高。当天然鳞片石墨原料粒径为180 μm、1.5～2 mm长的短切碳纤维质量含量为20%时, 衰减性能最优。

基于两步氧化插层先驱体法制备了不同膨胀体积的膨胀石墨，分析了先驱体、膨胀石墨的微观结构和微观形貌；利用静态测试系统测试了膨胀石墨对1.064 μm激光的消光行为，据此计算了其对1.064 μm激光的质量消光系数，得到了该系数与膨胀体积的依赖关系，并从消光机理进行了原因分析。结果表明：通过控制和优化先驱体合成条件，可以制得膨胀体积高达600 mL·g-1的膨胀石墨；两步插层导致先驱体的层间距(d002)明显大于天然石墨，当其d002从0.359 0 nm 增至0.371 1 nm时，所得膨胀石墨的膨胀体积从267 mL·g-1增至600 mL·g-1；膨胀石墨平均质量消光系数与膨胀体积呈近似线性关系，当膨胀体积由233 mL·g-1增至600 mL·g-1时，该系数从0.20 m2·g-1升至0.48 m2·g-1；膨胀石墨对1.064 μm激光呈非选择性散射，膨胀体积大，导致几何面积大，对1.064 μm激光的散射能力增强；同时，膨胀石墨中出现了更深的孔隙或孔腔，可作为等效黑体增强对入射激光的吸收.

膨胀石墨是一种新型多波段无源干扰材料。为测试膨胀石墨红外消光性能, 在分析烟幕消光机理的基础上, 利用烟箱测试了膨胀石墨烟幕对 3～5 μm、8～12 μm两个波段红外的透过率与时间的关系曲线, 用滤膜称重法测量了膨胀石墨烟幕在不同时刻的质量浓度, 计算了膨胀石墨烟幕在两个红外波段的平均质量消光系数, 分别为 0.8013 m2.g－1和 0.6187 m2.g－1。结果表明, 膨胀石墨烟幕具有良好的红外消光和干扰效果, 在红外对抗领域具有广阔的应用前景。

将膨胀石墨蠕虫近似为圆柱体，通过T-矩阵方法计算在3 mm/3μm 和8 mm/8μm 波长处平均消光参数，得到了平均消光参数随柱体长度和折射率的变化规律，对膨胀石墨在红外/毫米波复合干扰中的使用有一定的指导意义。

以波长为514.5nm的激光对550-920℃制备的膨胀石墨进行了Raman光谱研究,结果表明:膨胀石墨的Raman光谱与高取向热解石墨基本相同,分别在～1350、～1580、～2445、～2725、～3248和～4300cm-1处出现了相应的Raman位移;其中位于～1350、～2445和～4300cm-1的Raman峰位随着制备温度的不同会发生较大的移动,而不同温度制备的膨胀石墨位于～1580、～2725、～3248cm-1处的三个Raman峰位基本接近;～2725cm-1处的二阶模包含两个分别位于2707和2730cm-1处的Raman峰.膨胀石墨的D模与G模强度比ID/IG随着温度升高下降,而D线的二阶模D*峰强ID*与IG的比值ID*/IG的大体变化趋势是随着温度升高而增大.