1 太原理工大学，新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原 030024
2 太原理工大学轻纺工程学院，太原 030024
3 太原理工大学材料科学与工程学院，太原 030024
4 陕西科技大学，材料原子分子科学研究所，西安 710021
GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展，介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计，重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果，并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后，总结了高功率半导体激光器的发展现状，对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。
GaAs基 高功率 980 nm半导体激光器 应变量子阱结构 转换效率 光电性能 GaAs based high power 980 nm semiconductor laser strain quantum well conversion efficiency optical-electrical performance
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺, 深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层, 并活化表面性能的基本原理, 同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明, 在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min, 溅射功率为20 W, 清洗时间为15 min的条件下, GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%, 样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失。
等离子清洗 GaAs基片 发光强度 plasma cleaning GaAs substrates photoluminescence intensity
