基于密度泛函理论方法系统研究了四方结构MnGa合金体的结构、形成、电子结构和磁性质。结果表明，四方MnGa合金晶胞的生成焓为-4.85 eV，高于一些不含d电子的体系。其呈现导体的能带结构，其中d电子主要形成深能级价带，定域性最强。四方MnGa合金存在着明显的自旋极化，靠近费米能级两侧的s电子和靠近费米能级下方的p电子具有较弱的自旋极化。形成浅能级价带和导带的d电子产生高强度的自旋极化，对磁性质贡献较大。Mn的s电子和Mn的p电子自旋极化作用较弱，Mn的d电子形成浅能级价带和导带，自旋极化作用最强。形成深能级价带的Ga的d电子自旋极化作用较弱，不同位置的Ga原子的自旋极化不同。四方MnGa合金体具有净有效磁矩，呈弱的亚铁磁性。

稀土正铁氧体RFeO3晶体是一类重要的多功能磁性材料, 稳定的正交结构RFeO3晶体具有丰富的磁性, 优异的磁光和光磁特性, 在磁光和光磁调控方面取得一系列重要研究进展。另外, 正交相DyFeO3和GdFeO3等晶体由于R3+与Fe3+交换收缩作用, 在极低温度下表现出磁电耦合特性。相比较而言, 近年来涌现出的六方相RFeO3晶体被报道具有室温磁电耦合特性, 受到国内外广泛关注。由于六方相RFeO3晶体属于亚稳态, 晶体生长有一定的难度。本文主要综述了正交相RFeO3晶体和六方相RFeO3晶体的生长、磁光、光磁和磁电耦合特性, 为该体系晶体的结构设计、材料制备和性能研究提供参考。

分析了线圈杂散参数对高频下复磁导率测量的影响, 指出绕组电阻、寄生电容及漏感会导致传统复磁导率测量方法在高频下误差增大。在此基础上提出了使用单匝全包结构进行复磁导率宽带测量的方法, 该方法适用于400 MHz以下频率的复磁导率测量。介绍了复磁导率的常见模型, 并分别使用Levy法及有理函数迭代逼近法(IRFA)进行模型参数提取, 分析了两种算法的优缺点及应用范围。应用推荐复磁导率测量方法对三种磁性材料进行了复磁导率的测量和建模, 结果表明, 使用推荐的复磁导率测量方法及数据提取算法, 可以较好地实现对磁性材料的小信号建模。

用水热法成功合成了Co_xMn_1-xFe₂O₄纳米磁性颗粒粉体。样品物相用X射线衍射仪表征, 形貌通过透射电镜(TEM)观测。CoxMn1-xFe2O4纳米粉体的平均尺寸和晶格常数从XRD计算得到, CoxMn1-xFe2O4纳米颗粒的晶格常数随着Co2+含量的增加而变小。所得样品的磁性用振动样品磁强计(VSM)测试, 结果表明, 所制备的CoxMn1-xFe2O4粉体在室温下的铁磁性、饱和磁化强度和矫顽力随着Co2+含量的增加而变大。

针对传统变压器的局限，提出采用柔韧性好的同轴电缆和高导磁率的铁基非晶磁性材料绕制的1∶4阻抗变换的传输线变压器(TLTs)作为输出变换装置，并进行相关的实验研究。根据传输线理论及波的折反射分析了实际工程中的最佳匹配条件以及实际情况中阻抗失配引起的波形畸变；给出了磁芯材料对脉冲的响应分析。实验结果表明：TLTs对输出脉冲的响应良好，改善了波形前沿，减小了能量损耗，且与理论值具有较好的一致性。

基于二维LC网络, 设计了一种零电磁材料聚焦器, 导出了该器件等效节点电压分布矩阵, 研究了聚焦区域为三角形、四边形、六边形、八边形的电磁聚焦器, 并在此基础上仿真了形状和尺寸对其聚焦特性的影响。结果表明：当聚焦区域小于两倍波长时, 该器件的特性与聚焦区域的形状无关；当聚焦区域逐渐增大时, 焦点的能量也随之增强；当聚焦区域大于两倍波长时, 主焦点逐渐消失, 同时将产生多个副焦点。

设计并制作了基于没有附加磁芯复位电路的单级、双级磁脉冲压缩系统电路,用于测试Ni-Zn铁氧体磁芯在μs及亚μs级脉冲激励下的动态磁特性。磁芯的磁滞回线由测量到的磁开关两端电压和电流数据经计算得到,由磁滞回线可知磁芯在μs及亚μs级脉冲激励下的各种特性参数如饱和磁感应强度、剩余磁感应强度、矩形比、磁通密度跳变、矫顽力、饱和磁场强度及单位体积材料磁滞损耗;通过比较两块磁芯在μs及亚μs级脉冲激励下的各种动态磁特性参数可知:两块磁芯随激励脉冲宽度变窄磁芯磁性能有不同程度的下降,亚μs级脉冲激励下的矫顽力和单位体积材料磁滞损耗都比μs级脉冲激励下增大约3倍;饱和磁感应强度小、剩余磁感应强度大的Ni-Zn铁氧体磁芯动态磁特性性能优异,适合用于更窄脉冲的压缩电路中。

根据靶丸悬浮原理,推导出ICF用磁性靶丸在悬浮磁场中受力的函数关系式,从而得到了靶丸悬浮的理论模型.通过实验和理论相结合的方法,得出当靶丸中磁性材料掺入质量百分比由1%增加到6%时,靶丸的磁场强度由0.09 mT增加到0.44 mT,而对应的外界悬浮磁场由0.93 mT减小到0.23 mT.