作者单位
摘要
1 中电科芯片技术(集团)有限公司, 重庆 400060
2 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
综述了近年来国际上SiGe BiCMOS工艺的最新研究成果和工艺量产情况,具体展现和讨论了不同机构所研发的器件结构、工艺流程及其性能,并且展望了器件及工艺进一步优化的方向。虽然目前传统的双多晶自对准选择性外延基区结构实现了最佳的量产性能,但受限于内外基区连接电阻和选择性外延基区薄膜的不均匀性,其器件性能很难再有进一步提高。非选择性外延基区结构在实验室获得了极高的性能,但其自对准特性较低,这妨碍了其工业量产和更大规模集成。维持HBT器件与更小尺寸基线CMOS的工艺兼容性变得越来越困难。对高性能、工业量产和低成本进行综合,仍然是一项具有较大挑战性的任务。
高频性能 工业量产 SiGe BiCMOS SiGe BiCMOS SiGe HBT SiGe HBT high frequency performance mass production 
微电子学
2023, 53(2): 272
Author Affiliations
Abstract
1 Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, 119991, Russia
2 National Research Nuclear University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute), Moscow, 115409, Russia
In inertial fusion energy (IFE) research, a considerable attention has recently been focused on the issue of large target fabrication for MJ-class laser facilities. The ignition and high-gain target designs require a condensed uniform layer of hydrogen fuel on the inside of a spherical shell. In this report, we discuss the current status and further trends in the area of developing the layering techniques intended to produce ignition, and layering techniques proposed to high repetition rate and mass production of IFE targets.
free-standing and line-moving targets high-repetition-rate fuel supply inertial fusion energy target mass production 
High Power Laser Science and Engineering
2017, 5(2): 02000e11
作者单位
摘要
中国科学院光电技术研究所,成都 610209
针对大角度(大于50°)衍射光学元件低成本、批量化制备的需求,提出一种基于纳米压印技术的制备方法.首先利用光学曝光技术或电子束直写技术制备衍射元件的原始母板,然后将原始母板的结构通过纳米压印过程复制到压印胶上,完成衍射光学元件的制备.由于纳米压印母板可以多次重复使用,降低了制作成本,提高了效率.用该方法制备了不同特征尺寸(最小为250 nm,衍射全角为70°)的衍射光学元件,具有良好的衍射效果,实现了对高深宽比浮雕结构的高保真复制.该技术可实现从微米到纳米跨尺度兼容的衍射光学元件的高保真、低成本、批量化制备.
衍射光学元件 低成本 批量化 纳米压印 跨尺度兼容 Diffractive Optical elements Low cost Mass production Nanoimprint lithography Nanometer scale 
光子学报
2016, 45(6): 0605001
作者单位
摘要
北京京东方显示技术有限公司, 北京 130012
纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极, 但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘, 对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极, 并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究。实验结果表明: 纯铝成膜温度提高, 薄膜的晶粒尺寸增大, 退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低, 温度-应力曲线中屈服点温度也相应提高。量产中适当提高成膜温度, 可以有效抑制小丘的发生, 提高TFT阵列工艺的量产良率。
薄膜晶体管阵列工艺 磁控溅射 纯铝薄膜 小丘 量产良率 TFT array process magnetron sputtering pure Al film hillock mass production yield 
液晶与显示
2014, 29(4): 548

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