牡丹江师范学院物理系,黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室, 牡丹江 157011
通过第一性原理，对Na掺杂(NaZn)与Zn空位(VZn)及Na掺杂与O空位(VO)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究。结果表明，Na原子与空位(VZn或VO)空间位置最近时，掺杂体系的形成能最低；与诱导VZn相比，Na掺杂在ZnO体系中更易诱导VO，并且过量的Na掺杂必然导致VO的形成。另外，磁性研究发现，Na掺杂与空位(VZn或VO)共存的体系都具有磁性。并且Na掺杂与VZn共存的ZnO体系磁性源于VZn的本征缺陷，而Na掺杂与VO共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与VO的电子关联交互作用。
Na掺杂ZnO 第一性原理 形成能 电子结构 Na doped ZnO first-principle formation energy electronic structure
1 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室, 天津300071
2 商丘师范学院, 河南 商丘476000
上转换发光材料由于低的发光效率, 限制了其在太阳电池中的实际应用。为解决此问题, 采用溶剂热法制备了LiYF4∶Er3+/Yb3+上转换发光颗粒, 在LiYF4基质中引入Na+来打破Er3+周围晶体场的对称性, 增强其发光性能。研究了Na+掺杂对LiYF4∶Er3+/Yb3+的结构、形貌及其发光的影响。结果表明: 掺杂的Na+可以裁剪Er3+周围的晶体场, 当Na+摩尔分数为15%时, 得到了较大的发光增强, 绿光和红光发射分别获得4.2倍和2.9倍的增强。Er3+周围晶体场对称性的降低和材料中OH基团的减少是其发光增强的主要原因。
溶剂热法 上转换发光 Na+掺杂 solvothermal method up-conversion Na+ doped LiYF4∶Er3+/Yb3+ LiYF4∶Er3+/Yb3+
1 Institute of Electronic Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, CHN
2 State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, CHN
半导体光子学与技术
2009, 15(3): 139
1 烟台大学 光电信息学院, 山东 烟台264005
2 烟台大学 环境与材料工程学院, 山东 烟台264005
采用溶胶-凝胶旋涂法在Si(100)衬底上制备Na掺杂ZnO薄膜，退火温度分别为873，973，1 073 K。研究了退火温度对Na掺杂ZnO薄膜形貌、微观结构和光学性能的影响。室温光致发光谱显示，在973 K下退火的样品具有中心位于361 nm处尖锐而强的紫外发光峰，在388，425 nm处各有一个比较弱的紫色和蓝色发光峰，在可见光范围内发光峰的强度很弱。
微结构 光学特性 溶胶-凝胶法 Na掺杂ZnO microstructure optical properties sol-gel method Na-doped ZnO
